光刻胶开发用小型实验设备

• 概要

手动HMDS设备。有助于提高光刻胶对基板的粘着性。

• 特点

1）基板尺寸最大为φ150mm，是小型的HMDS处理装置。

2）边加热晶圆边将HMDS气体导入处理室进行处理。

3）可控制处理温度、HMDS导入时间。

• 式样

1）基板尺寸：MAX φ150mm Si晶圆（4、6英寸）

2）搭载载台：HMDS处理室

3）搬送方式：晶圆放置于HMDS处理室→加热晶圆→暴露在HMDS气体中→处理室内更换为氮气→取出晶圆

4）HMDS处理室および浸渍装置

   不锈钢腔体

   加热板：APS-300

   浸渍装置：LMHP-300/圧力調整機構/浸渍时间搭載

• 概要

对光刻胶旋转涂胶的设备。

• 特点

1）搭载基板尺寸最大为φ150mm的镀膜模块，节省空间

2）无分立单元，可高精度涂布。

3）旋转程序可设为2步，适合多品种样品制作。

• 式样

1）基板尺寸：MAX φ150mm Si晶圆（4、6英寸）

2）搭载载台：旋转涂布杯

3）搬送方式：晶圆置于卡盘上→真空吸附→取下中心环部件→启动程序 手动回收基板

4）旋转杯（SUS製）：晶圆支撑方式：旋转卡盘 真空吸附

   旋转：MAX5000rpm（无负荷状态），MIN100rpm

5）附带SpinCalculator软件

• 概要

对光刻胶旋转涂胶的设备。

• 特点

1）搭载基板尺寸最大为φ100mm的镀膜模块，节省空间

2）无分立单元，可高精度涂布。

3）旋转程序可设为2步，适合多品种样品制作。

• 式样

1）基板尺寸：MAX φ100mm Si晶圆（4英寸）

2）搭载载台：旋转涂布杯

3）搬送方式：晶圆置于卡盘上→真空吸附→取下中心环部件→启动程序 手动回收基板

4）旋转杯（SUS製）：晶圆支撑方式：旋转卡盘 真空吸附

   旋转：MAX5000rpm（无负荷状态），MIN100rpm

5）附带SpinCalculator软件

• 概要

本产品是实验用的。可以轻松地对MAX200mm的基板进行喷涂。

液晶用光刻胶的开发、LCD面板的试制、彩色滤色片的试制等都很方便。

• 特点

1）从低粘度到高粘度：1cps~5000cps

2）膜厚精度：±10%以下（DRY）

3）简单的喷嘴更换构造

4）短时间再吐液：喷嘴更换后到喷出液体只需10分钟（是以前的1/10）

• 构成

1）由载台、PRE点胶机、刀沿喷嘴、光刻胶泵构成。

• 概要

本产品是实验用的。可以轻松地对MAX200mm的基板进行喷涂。

液晶用光刻胶的开发、LCD面板的试制、彩色滤色片的试制等都很方便。

• 特点

1）从低粘度到高粘度：1cps~5000cps

2）膜厚精度：±10%以下（DRY）

3）简单的喷嘴更换构造

4）短时间再吐液：喷嘴更换后到喷出液体只需10分钟（是以前的1/10）

• 构成

1）由载台、PRE点胶机、刀沿喷嘴、光刻胶泵构成。

• 概要

可以对应直径最大为φ4英寸的Si晶圆的手动烘烤设备。

• 特点

1）支持基板尺寸最大φ4英寸的Si晶圆。

2）接近烘烤方式（间隙100μm固定）

• 式样

1.基板尺寸：MAXφ100mmSi晶圆（支持4英寸）

2.温度设定：50~150℃

3.温度稳定性：相对于设定温度监视器显示温度在±1.0℃以内

4.时间设定：可通过计时器设定

5.基板升降功能：按下开始按钮，销钉会自动下降，开始烘烤。经过设定时间后，销钉会自动上升，结束烘烤，并发出警报。

6.烘烤板：φ110mm的烘烤板1个，接近烘烤方式（间隙100μm固定）

7.烘烤部可选择追加安全盖。

• 概要

可以对应直径最大为φ6英寸的Si晶圆的Manual Bake装置。

• 特点

1）支持基板尺寸最大φ6英寸的Si晶圆。

2）接近烘烤方式（间隙100μm固定）

• 式样

1.基板尺寸：MAXφ150mmSi晶圆（支持4、6英寸）

2.温度设定：50~150℃

3.温度稳定性：相对于设定温度监视器显示温度在±1.0℃以内

4.时间设定：可通过计时器设定

5.基板升降功能：按下开始按钮，销钉会自动下降，开始烘烤。经过设定时间后，销钉会自动上升，结束烘 烤，并发出警报。

6.烘烤板：φ160mm的烘烤板1个，接近烘烤方式（间隙100μm固定）

7.烘烤部可选择追加安全盖。

• 概要

可以对应直径最大为φ8英寸的Si晶圆的手动烘烤装置。

• 特点

1）支持基板尺寸最大φ8英寸的Si晶圆。

2）接近烘烤方式（间隙100μm固定）

• 式样

1.基板尺寸：MAXφ200mmSi晶圆（支持4、6、8英寸）

2.温度设定：50~150℃

3.温度稳定性：相对于设定温度监视器显示温度在±1.0℃以内

4.时间设定：可通过计时器设定

5.基板升降功能：按下开始按钮，销钉会自动下降，开始烘烤。经过设定时间后，销钉会自动上升，结束烘烤，并发出报。

6.烘烤板：φ220mm的烘烤板1个，接近烘烤方式（间隙100μm固定）

7.烘烤部可选择追加安全盖。

• 膜厚仪
• 规格

测量膜厚度：10nm～50μm（分辨率1nm）

分光器：AvaSpec-ULS 2048CL-EVO-UA-50（200-100nm分辨率2.5nm）

软件：AvaSoft-ALL

测量位置：1mmΦ

光源：AvaLight-DHc（重氢卤素灯）

• 概要

支持直径最大为φ6英寸Si晶圆的手动冷却装置。

对烘干后晶圆的冷却很方便。

特别是PEB时，为了停止反应，需要在烘干后迅速冷却。

• 特点

1）基板尺寸最大φ6英寸晶圆。

2）接近式冷却方式。

• 式样

1）基板尺寸：MAX φ150mm Si晶圆（4、6英寸）

2）温度设定：15~30℃（由温控器设定）

3）冷却板：170x170mm

• 概要

用于吸附掩膜板和晶圆进行接触曝光的微细加工用曝光设备。

• 特点

1）4英寸Si基板和4英寸掩膜板的接触曝光。

2）掩膜板通过真空吸附维持的。

3）真空吸附时的真空度由真空计显示。

• 式样

1）光源：200W Xe水银灯管 EXCURE4000（Hoya製）

2）曝光波长：254、365、436nm（带通滤波器使用）

3）照射区域：150x150mm

4）测量位置：150mm□内中心及距离中心70mm的4处共计共5处位置。

5）拥有曝光累计功能

• 概要

纳米级压印用简易压床设备。

虽然是简易冲压设备，但是由于使用了电动汽缸，所以不需要空气源。

• 式样

1）压床能力：800N

2）晶圆尺寸：6英寸Si基板

3）压床范围：晶圆中心25mm²

4）UV灯移动单元：行程Max 50mm

5）压床部平行机构：基本行程35mm（Max 50mm）

6）UV-LED光源：标准10mW/cm²

7）安全联锁：有

8）设备操作由触摸屏进行。有完全手动操作和半自动动作两种。

• 概要

可置于桌上的旋转・显影光刻胶的设备。

• 特点

1）搭载了可对应φ150mm基板的旋转、显影、模块。节省空间进行显影操作。

2）显影喷嘴为扇形喷雾式。

3）显影方式是paddle式的。

4）显影液的温调功能是可选性的。

5）旋转程序可保存32位，10个程序。最适合制作多品种样品。

• 式样

1）基板尺寸：MAX φ150mm Si晶圆（4、6英寸）

2）搭载载台：旋转显影杯

3）由旋转显影部、排水系统、排气系统构成。

• 概要

旋转蚀刻基板的设备

• 特点

1）搭载了φ150mm基板用的旋转蚀刻模块。可节省空间进行显影。

2）蚀刻液喷嘴：扇形喷雾式

3）蚀刻方式：paddle式

4）蚀刻液的温调功能：无（可追加）

5）旋转程序可保存32位，10个程序。最适合制作多品种样品。

• 式样

1）基板尺寸：MAX φ150mm基板（4、6英寸）

2）搭载载台：旋转杯（树脂制）

2）由旋转蚀刻部、排水系统、排气系统构成。