• 光刻胶曝光设备

  • 光刻胶曝光,显影分析设备

    1、开放式专用曝光机

       UVES-2000(i线,g线,h线,Krf, broad band)


       VUVES-4700 (krf,Arf)


       WEX-200MCE(全面曝光,接触式曝光)

    2、光刻胶显影分析设备

         RDA-800

  • 光刻胶分析用曝光装置

    (UVES-2000)

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    (UVES-2000)

     

    搭载了UV灯管光源、曝光光学镜头、曝光载台的光刻胶评价用的开放式专用曝光装置。

    可以简单的测量光刻胶的敏感度。

    曝光方式:step曝光

    曝光位置:最多25处

    曝光区域:10mm×10mm

    对应波长:i线、g线、h线、Krf、broad band

    滤波片:BDF(band pass filter)

    用 途:Eth测量、 ABC参数计算、out gas测量

  • Eth测量(完全曝光的最小曝光量)

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    outgas测量(option)

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