光刻胶显影分析装置（RDA）
RDA是测量，分析光刻胶在不同曝光量下的显影速度的装置。
由以下硬件和软件构成
1.硬件设备
- 分析单元
- 显影测量单元
- 储液桶收纳柜
2.软件概要
- 显影速度分析软件「LEAP SET」
- 显影参数计算软件「DPC」
干涉波形
残膜曲线图
左图是残膜曲线图。
横轴是显影时间，纵轴是膜厚。
1，不同曝光量下显影时的残膜（膜厚）变化曲线
2，一定显影时间下的残留膜厚
Eth(光刻胶敏感度）的测量
横轴是显影时间，纵轴是曝光量（Eth）。
用于测量一定显影时间下的Eth值
显影速度曲线（ γ 值）
左图是显影速度曲线（曝光量和残膜率的变化关系）
横轴是曝光量，纵轴是残膜率。
通过该图表可得到显影对比度γ 值
显影速度曲线的（ tanθ ）
显影速度曲线（曝光量和显影速度的变化关系）。
横轴是曝光量，纵轴是平均显影速度。
通过该图表可得到显影对比度tanθ值。
深度方向显影速度分布
图是深度方向显影速度分布曲线。
横轴是膜厚，纵轴是显影速度。
显影参数的获取
如左图所示，通过UVES-2000计算出ABC参数，将该参数输入到LEAPSET软件中，则可以计算出显影参数。
