光刻胶显影分析设备
RDA是测量,分析光刻胶在不同曝光量下的显影速度的装置。
由以下硬件和软件构成
1.硬件设备
2.软件概要
1.干涉波形(深度方向显影速度分布的把握)
2.残膜曲线(显影时间和膜厚变化的关系)
3.一定显影时间下的Eth(光刻胶敏感度)测量
4. γ 值计算(曝光量和残膜率的对比度曲线)
5.tanθ 值计算(曝光量和平均显影速度的对比度曲线)
6.利用这些功能,可以进行光刻胶的材料开发、清洗、simulation参数的 取得等。
7.可以测量ADR(树脂的显影速度),对树脂的品质管理有用。
左图是残膜曲线图。
横轴是显影时间,纵轴是膜厚。
1,不同曝光量下显影时的残膜(膜厚)变化曲线
2,一定显影时间下的残留膜厚
横轴是显影时间,纵轴是曝光量(Eth)。
用于测量一定显影时间下的Eth值
左图是显影速度曲线(曝光量和残膜率的变化关系)
横轴是曝光量,纵轴是残膜率。
通过该图表可得到显影对比度γ 值
显影速度曲线(曝光量和显影速度的变化关系)。
横轴是曝光量,纵轴是平均显影速度。
通过该图表可得到显影对比度tanθ值。
图是深度方向显影速度分布曲线。
横轴是膜厚,纵轴是显影速度。
如左图所示,通过UVES-2000计算出ABC参数,将该参数输入到LEAPSET软件中,则可以计算出显影参数。